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        MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算介紹
        • 發(fā)布時(shí)間:2024-08-03 18:32:10
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        MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算介紹
        開關(guān)損耗計(jì)算
        1、CCM 模式開關(guān)損耗
        CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
        1.1 導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗
        CCM 模式下,開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)的電流與電壓波形如圖 1 所示。
        MOS管開關(guān)損耗
        根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理:當(dāng)MOS 管接感性負(fù)載時(shí),當(dāng)電流變化時(shí),電壓保持不變;當(dāng)電壓變化時(shí),電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計(jì)算MOS 管的導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗平均值,可得開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗為:
        MOS管開關(guān)損耗
        使用積分計(jì)算方法的如下:
        MOS管開關(guān)損耗
        1.1.1 CCM 下反激式開關(guān)電源損耗公式
        電流的確定
        先讓我們回顧一下 CCM 模式下輸入電感的電流波形,如圖 2 所示。
        MOS管開關(guān)損耗
        由圖 2 可知:I2 為MOS 管導(dǎo)通時(shí)的電流,I3 為MOS 管的最大電流。眾所周知,反激式開關(guān)電源導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換時(shí)間是納秒級(jí)的,而導(dǎo)通時(shí)間是微秒級(jí)的,所以導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗公式中的I4=I2。
        Vds 電壓的確定
        反激電路框圖如圖 3 所示。
        MOS管開關(guān)損耗
        在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點(diǎn)原則:
        (1)變壓器中有能量時(shí),輸入繞組、輸出繞組至少有一個(gè)有電流流過或者兩個(gè)都有(電流是變壓器有能量的表現(xiàn));
        (2)輸出二極管導(dǎo)通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;
        (3)電感電流不能突變。
        由于電感電流不能突變,輸出繞組必須維持D1 導(dǎo)通的電壓來使電流迅速下降,然后才是輸出繞組電壓方向。所以導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過程中Vds=Vin+Vor。CCM 模式下,反激電源中MOS管導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗公式為:
        MOS管開關(guān)損耗
        Vor 為初級(jí)繞組上的反射電壓。
        再次申明:CCM 模式下的反激式電源,MOS 管導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗計(jì)算公式中電壓為(Vin+Vor),而電流為最小電流I2。
        1.2 關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗
        關(guān)斷轉(zhuǎn)換過程中的電壓電流波形如圖 4 所示。
        MOS管開關(guān)損耗
        根據(jù)數(shù)據(jù)給出的原理:當(dāng)MOS 管接感性負(fù)載時(shí),當(dāng)電流變化時(shí),電壓保持不變;當(dāng)電壓變化時(shí),電流保持不變。所以可以利用電流的平均值、電壓的平均值來計(jì)算MOS 管的關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗平均值,可得開關(guān)關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗為:
        MOS管開關(guān)損耗
        與前面計(jì)算開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗非常相識(shí),看確有本質(zhì)的不同。
        1. 電流
        在正常的反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,開關(guān)電源導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換時(shí)間是納秒級(jí)的,而導(dǎo)通時(shí)間是微秒級(jí)的,所以導(dǎo)通時(shí)的開關(guān)損耗公式中的Id=I3(電流I3 如圖 2 所示)。
        2. 電壓Vds
        先上一個(gè)反激式漏極尖峰電壓吸收電路,如圖 5 所示,其中的紅色部分。
        MOS管開關(guān)損耗
        在確定 Vds 電壓之前,需要確定幾點(diǎn)原則:
        (1)變壓器中有能量時(shí),輸入繞組、輸出繞組至少有一個(gè)有電流流過或者兩個(gè)都有(電流是變壓器有能量的表現(xiàn));
        (2)輸出二極管導(dǎo)通是需要電壓的,也就是輸出繞組的電壓必須上升到Vo+Vf;
        (3)電感電流不能突變。
        有上面的三原則可知,輸出繞組的電壓先上升至Vo,然后輸出整流管D1 導(dǎo)通,這個(gè)時(shí)候初級(jí)的電感電流急劇下降,輸出繞組電流相應(yīng)上升。而初級(jí)漏感尖峰電壓上升速度比納秒級(jí)還小,所以可以得出:開關(guān)關(guān)斷過程損耗計(jì)算公式中電壓應(yīng)該為輸入電壓、電容C 兩端電壓之和。
        MOS管開關(guān)損耗
        Vc 為電壓尖峰電路中電容的吸收電壓,其中不僅包含反射電壓,還有漏感導(dǎo)致的尖峰電壓。I3 是輸入電感上面的峰值電流。
        2. DCM 模式的開關(guān)損耗
        DCM 模式是幾乎沒有導(dǎo)通轉(zhuǎn)換的交越階段損耗,因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候的輸入電流幾乎是為零的。但是還是有關(guān)斷交越階段的損耗,這個(gè)與前面的 CCM 模式下的一樣。
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