前面我們詳細的介紹了共射放大電路的設計步驟，對于低頻信號，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS管有極間電容有Cgd，Cgs，Cds。
MOS管的寄生電容
Cgs跨接在輸入端與地之間，對于輸入端來說與基極電阻構成了低通濾波器，會使MOS管的高頻性能下降。Cds跨接在輸出端與地之間，對于輸出端來說與基極電阻構成了低通濾波器，會使MOS管的高頻性能下降。雖然Cgs和Cds都使MOS管的高頻性能下降，卻很好理解。只要知道了這兩個容值，和輸入輸出電阻就可以計算出截止頻率，那么我們的輸入信號就低于這個截止頻率就OK了，但是Cgd怎么理解呢？它跨接在輸入和輸出兩端，對于輸入來說等效電容是多少？對于輸出來說能效電容是多少呢？
1、一個簡單的例子
一個159mV的1K正弦波交流電壓源跨接到C1兩端，電流表的讀數是1mA，通過I=2*pi*f*C*V，我們可以求出C1的容值是1uF。
電容C1還是那個電容，我們在電容的另一端加上反向的1590mV的1K正弦波交流電壓源，此時，電流表的讀數是11mA。如果我們還用公式I=2*pi*f*C*V來計算C1這個電容，則得到的數值是11uF。原理很簡單，第一個例子電容兩端電壓變化幅度是159mV，第二個例子電容兩端變化的幅度是159mV+1590mV，擴大了11倍。如果只從VG1那一端看過去就好像電容也擴大了11倍。同樣，如果只從VG2那一端看過去就好像電容擴大了1.1倍。
2、MOS管中的密勒效應
當MOS管處于截止區(qū)時，MOS管漏極固定為VDD，對于輸入輸出端等效電容就是Cgd。當MOS管處于飽和區(qū)時，MOS管漏極固定為GND，對于輸入輸出端等效電容就是Cgd。當MOS管處于放大區(qū)時，MOS管漏極電壓隨著G極電壓的增大而反向增大A倍，Cgd對于輸入端，等效電容為(1+A)*Cgd，對于輸出端，等效電容為（1+1/A）*Cgd。這個現象最早是由美國無線電工程師John Milton Miller在1919年到1920年間，在研究真空管時發(fā)現的，后來這個現象就以它的姓氏命名，叫做Miller Effect。
3、密勒平臺
由于Miller Effect，在MOS管開啟的過程中，GS兩端電壓在上升過程中有一個平臺或凹坑，這個平臺就是密勒平臺。建立如下仿真模型：
觀察電壓探頭VF2測得的電壓，1us時，VG1開始給MOS管柵極加電壓，使徒開啟MOS管。
第一階段：1.4us之前，MOS管工作在截止區(qū)，電壓逐漸上升，說明在給MOS管的寄生電容Cgs和Cgd充電，此時輸入端的等效電容為Cgs+Cgd。第二階段：在1.4us到1.9us之間，MOS管開始工作在放大區(qū)，此時輸入端的等效電容為Cgs+（1+A）*Cgd，因為放大倍數A通常非常大，所以等效的電容也非常大，充電緩慢，出現密勒平臺。第三階段：在1.9us以后，MOS管此時處于飽和區(qū)，輸入端的等效電容為Cgs+Cgd，電容重新恢復到一個比較小的值，柵極電壓繼續(xù)上升。
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