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      7. 小功率電機(jī)驅(qū)動方案與驅(qū)動IC的選擇介紹
        • 發(fā)布時(shí)間:2022-04-02 16:25:18
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        小功率電機(jī)驅(qū)動方案與驅(qū)動IC的選擇介紹
        電機(jī)驅(qū)動作為工業(yè)中工廠自動化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié),其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。因此,工業(yè)對電機(jī)驅(qū)動提出了更高的性能和功能要求,例如更快的響應(yīng)速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制、以及更豐富的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)功能等。針對不同應(yīng)用場合的電機(jī),我們應(yīng)該選擇與之相對應(yīng)的驅(qū)動方案。
        簡單地來說,功率大的電機(jī)應(yīng)該選用內(nèi)阻小、電流容許大的驅(qū)動,功率小的電機(jī)就可以選用較低功率的驅(qū)動。直流小功率電機(jī)廣泛適用于家電、工控、計(jì)算機(jī)等諸多設(shè)備。
        較常規(guī)的方法是采用 PWM 控制,常見的驅(qū)動有兩種方式:
        1、采用集成電機(jī)驅(qū)動芯片;
        2、采用MOSFET和專用柵極驅(qū)動芯片。
        電機(jī)驅(qū)動 MOSFET
        在高集成度的應(yīng)用中,傳統(tǒng)電機(jī)控制鏈路MCU + Gate Driver + MOSFET(如圖1)中已經(jīng)出現(xiàn)了MCU+ Pre-Driver集成,或是Pre-Driver+MOSFET功率模組集成的方式,甚至在一些小功率應(yīng)用中還出現(xiàn)了集成全部鏈路的情形。
        而在便攜設(shè)備、IOT和5G應(yīng)用中,對電機(jī)驅(qū)動在高精度、小型化、高集成度、低功耗的要求越來越高;而自動化生產(chǎn)線則對電機(jī)驅(qū)動的高可靠性和長壽命提出了苛刻的要求。
        按集成度的不同,有3種電機(jī)驅(qū)動器方案:系統(tǒng)單芯片(SoC)方案、集成的控制方案(ICS)和門極驅(qū)動器方案。
        SoC方案將DC-DC、門極驅(qū)動器、控制器、逆變器及反饋/保護(hù)等集成到單個(gè)芯片上,集成度高,適合空間受限的應(yīng)用,簡單易用。
        ICS方案相對于SoC方案,沒有集成逆變器,因而可通過外部MOSFET支持寬范圍的功率,適用于功率較大的應(yīng)用,靈活性較高。
        門極驅(qū)動器方案則只集成DC-DC、門極驅(qū)動器和反饋/保護(hù),因?yàn)榭刂破骱凸β势骷荚谕獠浚跃哂凶罡叩撵`活度。
        門級驅(qū)動方案因其靈活性和傳統(tǒng)性,在非汽車市場有較多的應(yīng)用,比如應(yīng)用在風(fēng)扇、電動工具、按摩椅等小功率場合。有隔離門級驅(qū)動產(chǎn)品和非隔離門級驅(qū)動產(chǎn)品。
        隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應(yīng)用,從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等,不一而足。
        電機(jī)驅(qū)動 MOSFET
        文章內(nèi)容主要涉及非隔離式半橋驅(qū)動產(chǎn)品,如圖2為典型半橋應(yīng)用電路。
        在上文提到的各類小功率應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)中,主要考慮:
        1. 電機(jī)轉(zhuǎn)動方向、速度。對于單向的電機(jī)驅(qū)動,只要用一個(gè)大功率三極管或MOS直接帶動電機(jī)即可,當(dāng)電機(jī)需要雙向轉(zhuǎn)動時(shí),可以使用由4個(gè)功率元件組成的H橋電路,通過改變流入電機(jī)的電流方向從而改變電機(jī)轉(zhuǎn)向。
        如果需要調(diào)速,可以使用三極管,MOS等開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)PWM(脈沖寬度調(diào)制)調(diào)速。(PWM控制通常配合橋式驅(qū)動電路實(shí)現(xiàn)直流電機(jī)調(diào)速,電機(jī)的轉(zhuǎn)速與電機(jī)兩端的電壓成比例,而電機(jī)兩端的電壓與控制波形的占空比成正比,因此電機(jī)的速度與占空比成比例,占空比越大,電機(jī)轉(zhuǎn)得越快,當(dāng)占空比α=1 時(shí),電機(jī)轉(zhuǎn)速最大)
        2. 對于PWM調(diào)速的電機(jī)驅(qū)動電路,選擇驅(qū)動IC時(shí)主要有以下性能指標(biāo)需要考慮:
        1)輸出電流和耐壓,它決定著電路能驅(qū)動多大功率的電機(jī)。
        2)效率,節(jié)省電源同時(shí)減少驅(qū)動電路的發(fā)熱。可以從保證功率器件的開關(guān)工作狀態(tài)和防止共態(tài)導(dǎo)通(在需要涉及為H橋時(shí))入手。
        3)對控制輸入端的影響,是否使用隔離式驅(qū)動IC。
        4)對電源的影響。
        5)可靠性。在系統(tǒng)應(yīng)用中,由于門極驅(qū)動連接著邏輯控制單元與功率變換單元,門極驅(qū)動芯片的穩(wěn)定性對整個(gè)系統(tǒng)的可靠性起著至關(guān)重要的作用。
        因此,不同的應(yīng)用場合,采用不同的驅(qū)動方案是必要的。在小功率應(yīng)用場合,門級驅(qū)動方案應(yīng)用最廣,選取合適的門級驅(qū)動IC是極為重要的。MOSFET開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低,在電機(jī)驅(qū)動電路中占據(jù)半壁江山。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,最優(yōu)驅(qū)動電路必不可少。
        在應(yīng)用中,MOSFET一般工作在如圖1所示的橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)模式下。由于下橋MOSFET驅(qū)動電壓的參考點(diǎn)為地,較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動電路,而上橋的驅(qū)動電壓是跟隨相線電壓浮動的,因此如何很好地驅(qū)動上橋MOSFET成了設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。
        相比全橋驅(qū)動,半橋驅(qū)動芯片由于其易于設(shè)計(jì)驅(qū)動電路、外圍元器件少、驅(qū)動能力強(qiáng)、可靠性高、靈活等優(yōu)點(diǎn)在MOSFET驅(qū)動電路中得到廣泛應(yīng)用。門級驅(qū)動IC的兩個(gè)主要參數(shù):耐壓和驅(qū)動電流。
        如圖所示600V耐壓,290/600mA 的驅(qū)動電流(MOSFET的柵-源極之間存在寄生電容,MOSFET的開和關(guān)過程,是對電容的充放電過程,如果MOSFET的驅(qū)動電路不能提供足夠的峰值電流(輸入/輸出電流),則會降低MOSFET的開關(guān)速度。
        所以,根據(jù)不同的產(chǎn)品,來選取不同的驅(qū)動IC驅(qū)動電機(jī)至關(guān)重要),是具有高低側(cè)參考輸出通道,耐壓高、高速的MOSFET和IGBT驅(qū)動IC,邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,邏輯電壓可降至3.3 V。
        輸出驅(qū)動器的特點(diǎn)是一個(gè)高脈沖電流緩沖級設(shè)計(jì)的最小驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。浮動通道可用于驅(qū)動n通道功率MOSFET或IGBT在高側(cè)配置,耐壓達(dá)600V,通斷時(shí)間220 ns/200 ns。而SLM2101S通斷時(shí)間為160 ns/150 ns。
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