一.MOSFET與IGBT的區(qū)別

從結(jié)構(gòu)上來(lái)講，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET的區(qū)別在于MOSFET 的襯底為N型，IGBT的襯底為P型；從原理上說(shuō)IGBT相當(dāng)于一格MOSFET與BIpolar的組合，通過(guò)背面P型層空穴降低器件的導(dǎo)通電阻，但同時(shí)也會(huì)引入一些拖尾電流問(wèn)題，從產(chǎn)品上來(lái)說(shuō)，IGBT一般用在高壓功率產(chǎn)品上，從600V到幾千伏都有，MOSFET應(yīng)用電路則從十幾伏到一千左右，結(jié)構(gòu)如下圖所示：

工作原理的區(qū)別：

對(duì)于MOSFET 來(lái)說(shuō)，僅由多子承擔(dān)的電荷運(yùn)輸沒(méi)有任何存儲(chǔ)效應(yīng)，所以很容易實(shí)現(xiàn)極端的開(kāi)關(guān)時(shí)間。PowerMosfet的開(kāi)關(guān)的高頻特性十分優(yōu)秀，所以可以用在高頻場(chǎng)和，在低電壓工作狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)管動(dòng)作損耗遠(yuǎn)低于其他組件，但是缺點(diǎn)是在高壓狀態(tài)下，壓降高，并且隨著電壓等級(jí)的增大，導(dǎo)通電阻也變大。因而其傳導(dǎo)損耗比較大，尤其是在高電壓應(yīng)用場(chǎng)合。IGBT是其耐壓比較高，壓降低，功率可以達(dá)到5000w,IGBT開(kāi)關(guān)頻率在40-50k之前，開(kāi)關(guān)損耗也比較高，并且會(huì)出現(xiàn)擎柱效應(yīng)。

驅(qū)動(dòng)電路的對(duì)比：

驅(qū)動(dòng)電路兩種其實(shí)差的不是很多，只是IGBT輸入電容要比MOS大，因此需要更大電壓驅(qū)動(dòng)功率?？傊琈OS一般在高頻且低壓的場(chǎng)合應(yīng)用（即功率<1000W及開(kāi)關(guān)頻率>100kHZ）,而IGBT在低頻率高功率的場(chǎng)合表現(xiàn)較好。

二.BJT與MOSFET的區(qū)別

1.三極管是電流型器件，MOSFET是電壓型器件。

2.三極管功耗大（極大的限制了三極管在集成電路中的應(yīng)用），場(chǎng)效應(yīng)管功耗?。呻娐分袕V泛應(yīng)用）。

3.場(chǎng)效應(yīng)管柵極基本不取電流，而三極管的基極總要吸取一定的電流。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻要比三極管的輸入電      阻要高。

4.三極管導(dǎo)通電阻大，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百毫歐，在現(xiàn)在的用電器件上，一般用場(chǎng)效應(yīng)管用作開(kāi)關(guān)，效率      還算比較高的。

5.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)都很小的，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比高的電路中要選擇場(chǎng)效應(yīng)管。

6.三極管是雙極性的（內(nèi)部導(dǎo)電方式：空穴和載流子），場(chǎng)效應(yīng)管是單極性的（空穴or載流子）。

應(yīng)用場(chǎng)合：三極管比較便宜，用起來(lái)比較方便，常用在數(shù)字電路中。MOS常用于高速高頻電路、大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極和漏極控制電流比較敏感的場(chǎng)合，一般來(lái)說(shuō)，成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用先采用三極管，不行的話(huà)再 使用MOS管。

總之在使用場(chǎng)合中，BJT的成本是最低的，MOSFET適用于高速高頻的場(chǎng)合，IGBT適用的場(chǎng)合為高壓大電流場(chǎng)合。
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