MOS管與晶體管的差異：
雙極晶體管：要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
MOSFET：在柵極端子和源極端子之間施加電壓時，MOSFET 在漏極中產(chǎn)生電流。MOSFET 的柵極是一層二氧化硅。由于該柵極與源極隔離，向柵極端子施加直流電壓理論上不會在柵極中產(chǎn)生電流（在柵極充電和放電的瞬態(tài)產(chǎn)生的電流除外）。
實踐中，柵極中會產(chǎn)生幾納安的微弱電流
當(dāng)柵極端子和源極端子之間無電壓時，由于漏源極阻抗極高，因此漏極中除泄漏電流之外無電流。
MOS管特性：
由于 MOSFET 是電壓驅(qū)動器件（G極加電壓控制電流），因此無直流電流流入柵極。
要開通 MOSFET，必須對柵極施加高于額定柵極閾值電壓 Vth 的電壓。
處于穩(wěn)態(tài)開啟或關(guān)斷狀態(tài)時，MOSFET 柵極驅(qū)動基本無功耗（但是請注意交叉點附近，就是電壓下降與電流上升導(dǎo)致的功耗）。
通過驅(qū)動器輸出看到的 MOSFET 柵源電容根據(jù)其內(nèi)部狀態(tài)而有所不同。
MOSFET 通常被用作頻率范圍從幾 kHz 到幾百 kHz 的開關(guān)器件。這點尤其需要注意。
MOS管最基本的驅(qū)動電路
如下所示為MOS管最為基本的驅(qū)動電路設(shè)計，R1為限流電阻，來限制柵極在剛開始時的充電電流大小，電阻的加入會使得MOS開啟速度減慢，但是可以減小EMC風(fēng)險。
R2電阻是放電電阻，一是當(dāng)系統(tǒng)未加電控制時，該電阻可以泄放積累在柵極的電荷，防止靜電擊穿；二是當(dāng)G極驅(qū)動為低電平時，泄放G極電荷，使得G極快速的變?yōu)?電位。
這種驅(qū)動方式在實際中很常見，多見于直接使用控制器來驅(qū)動的方式，個人覺得也是最為實用的驅(qū)動方式。
驅(qū)動邏輯就是高電平驅(qū)動開啟MOS管；低電平驅(qū)動關(guān)閉MOS管。
推挽電路驅(qū)動，推挽電路驅(qū)動主要是在需要外部電源時我們使用的，需要使用兩個三極管，請注意必須要NPN和PNP才可以。
高電平時，上管NPN開啟，下管PNP關(guān)閉；此時MOS管狀態(tài)為驅(qū)動開啟；
低電平時，上管NPN關(guān)閉，下管PNP開啟，此時MOS管狀態(tài)為驅(qū)動關(guān)閉。
但是實際需要考慮晶體管完全開啟時的Vce電壓。
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