高邊指電源，低邊指地，高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)是用來(lái)調(diào)試功率的，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。
高邊驅(qū)動(dòng)：開(kāi)關(guān)位于電源和負(fù)載之間； 低邊驅(qū)動(dòng)：開(kāi)關(guān)位于負(fù)載和地之間。
通俗的來(lái)講，高邊驅(qū)動(dòng)（HSD）是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線閉合開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置的使能，而低邊驅(qū)動(dòng)(LSD)則是通過(guò)在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置后，通過(guò)閉合地線來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置使能。
高邊驅(qū)動(dòng)：形象點(diǎn)說(shuō)，像在電路的電源端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)。低邊驅(qū)動(dòng)：形象點(diǎn)說(shuō)，像在電路的接地端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。低邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)。
高邊驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)：適用于精密裝置的儀器，高邊開(kāi)關(guān)（一般是MOSFET開(kāi)關(guān)）驅(qū)動(dòng)復(fù)雜一點(diǎn)、布線成本低，一般采用高邊驅(qū)動(dòng)的話就得增加自舉電路。
低邊驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)：低邊驅(qū)動(dòng)比較容易實(shí)現(xiàn)（電路也比較簡(jiǎn)單，一般由MOS管加幾個(gè)電阻、電容）、適用電路簡(jiǎn)化和成本控制的情況。
關(guān)于自舉電路：目的是為了讓GS保持一定的壓降，以確保穩(wěn)定、連續(xù)的開(kāi)關(guān)，要是高側(cè)mos的Vgs電壓能滿足要求就不需要加自舉電路，自舉電路只是在單電源供電時(shí)，高側(cè)Vgs打不到控制要求而做的，當(dāng)使用隔離電源控制就不需要自舉。
自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管、自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高。有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
自舉電路通常用在高壓驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)合中，通常用一個(gè)電容和一個(gè)二極管，電容存儲(chǔ)電壓，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時(shí)候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。
自舉電容：電壓不能突變，通過(guò)充電放電的過(guò)程而產(chǎn)生電壓自舉、電位自舉作用的。自舉電容的充電的時(shí)間快，只要保持時(shí)間足夠，占空比可達(dá)到95%。
自舉二極管：利用其單向?qū)щ娦酝瓿呻娢化B加自舉，二極管導(dǎo)通時(shí)，電容充電到U1 ，二極管截止時(shí)，電路通過(guò)電容放電時(shí)U1與電路串聯(lián)疊加自舉。
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