MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于場效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時(shí)被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。而在板卡上的電源穩(wěn)壓電路中,MOSFET扮演的角色主要是判斷電位。
MOS管的作用是什么
MOS管對(duì)于整個(gè)供電系統(tǒng)而言起著穩(wěn)壓的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10個(gè)左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是為配件提供穩(wěn)定的電壓,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下兩個(gè)組成一組的形式出現(xiàn)板卡上。
MOS管封裝形式
MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。按照安裝在PCB 方式來區(qū)分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。
標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)格TO封裝
TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。近年來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進(jìn)展到表面貼裝式封裝。
TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。
D-PAK封裝的MOSFET有3個(gè)電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。
封裝TO-252引腳圖
芯片封裝流行的還是雙列直插封裝，簡稱DIP(Dual ln-line Package)。DIP封裝在當(dāng)時(shí)具有適合PCB(印刷電路板)的穿孔安裝，具有比TO型封裝易于對(duì)PCB布線以及操作較為方便等一些特點(diǎn)，其封裝的結(jié)構(gòu)形式也很多，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等等。常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝。
SOT封裝
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格如上。
主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
SOP封裝
SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L 字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先開發(fā)的，以后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
這些派生的幾種封裝規(guī)格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
QFN-56封裝
QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無引線扁平封裝，是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。現(xiàn)在多稱為LCC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無引線，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。這種封裝也稱為LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝，MOSFET不會(huì)采用的。Intel提出的整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝，56是指在芯片背面有56個(gè)連接Pin。
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